Form 515

Форма 515.
НАУЧНЫЙ ОТЧЕТ ПО ГРАНТАМ ПРЕЗИДЕНТА РФ И ВЕДУЩИХ НАУЧНЫХ ШКОЛ

15.1. 96.15 - 96.348
15.2. Теория твердотельных микро и наноструктур и
оптоэлектронных устройств на их основе
15.3. Установлено, что существует две возможности образования
модулированных по составу эпитаксиальных пленок
полупроводниковых твердых растворов. Во-первых, путем
термодинамического (равновесного) фазового перехода,
реализуемого, например, в технологическом процессе с
длительным прерыванием роста. Во-вторых, путем
кинетического (неравновесного) фазового перехода,
происходящего в процессе роста кристаллов в открытых
системах.
Для равновесной системы решена нелинейная задача и
найдены периоды модулированных структур. Показано, что
конечное состояние распадающегося твердого раствора
является суперпозицией поверхностных мягких мод. В
соответствии с этим, амплитуда модуляции состава
убывает экспоненциально вглубь образца.
Показано, что для многослойных систем островков,
разделенных тонкими слоями спейсера, в зависимости от
толщины этих слоев возникает либо синфазная, либо
противофазная корреляция в вертикальном расположении
островков.
Для кинетического (неравновесного) фазового перехода
показано, что направление волнового вектора, наиболее
неустойчивой моды флуктуаций состава не совпадает с
направлением наилегчайшего сжатия и может быть
произвольным. Произвольной может быть и ориентация
возникающих модулированных структур.
В связи с созданием зеленых и синих лазеров возник
интерес к слоистым структурам из широкозонных материалов,
имеющих высокую степень ионности и обладающих условиями,
необходимыми для появления поляронного состояния
носителей. Нами исследованы теоретически возможности
оптического контроля таких структур и показано, что
поляронные экситоны обладают целым рядом специфических
свойств. В них возможны большие стоксовы сдвиги и
интенсивные фононные повторения в экситонных спектрах.
Эффективным методом контроля качества поверхности
является гиперкомбинационное рассеяние света. Нами
показано, что достаточно слабый оптический эффект
гиперкомбинационного рассеяния света может быть
значительно усилен за счет возрастания электрического
поля в неоднородной плазме в приповерхностной области
полупроводника.
Теоретическое исследование процесса пассивации кремния
водородом показало, что в равновесных условиях
концентрация дейтерия на Si в 15 раз больше
поверхностной концентрации водорода. Эффект возникает
за счет различия поверхностных локальных колебаний D
и H.

Произведен анализ процессов зарождения и роста 3-х
мерных кластеров на подложках с различными углами
разоринтации, что позволило оценить темп взаимного
поглощения кластеров и время, необходимое для
выращивания однородного ансамбля квантовых точек.

Разработана физическая модель перехода гексагональной
структуры нитрида бора в кубическую, который наблюдается
при выращивании пленок кубического нитрида бора путем
осаждения компонент на подложку кремния. Разработана
физическая модель эволюции структуры приповерхностных
областей карбида кремния при высокодозной имплантации
ионами азота и алюминия с целью создания четверного
твердого раствора. Сравнительный анализ
экспериментальных данных и компьютерных расчетов с
помощью программного комплекса DYTRIRS-MGEAR позволил
получить профили ионов и дефектов, а также оцененить
энергии активации и миграции компонент.

В рамках исследования энергетического спектра и
кинетических свойств носителей в низкоразмерных
структурах решены следующие задачи: 1) Найдены волновые
функций электронов в 3-х мерных сверхрешетках из
квантовых точек во внешнем электрическом поле и
исследована анизотропная зависимость кинетических
характеристик носителей от ориентации постоянного
электрического поля. 2) Теоретически исследованы
свойства комплекса экситон+электрон в двумерной
квантовой яме в экранирующей среде, рассчитаны
зависимости энергии образования комплекса и радиусов
орбит обоих электронов от коэффициента экранирования.
3) Развита теоретическая модель для расчета
энергетического спектра носителей и свойств экситонов в
системе с планарными ультратонкими квантовыми точками
(КТ).

Исследованы основные механизмы оже рекомбинации
неравновесных носителей в полупроводниковых
гетероструктурах с квантовыми ямами. Показано,
что в квантовых ямах существует три принципиально
различных механизма оже-рекомбинации: беспороговый
механизм, квазипороговый механизм и пороговый. Скорость
беспорогового процесса имеет слабую температурную
зависимость. Скорость квазипорогового оже процесса
экспоненциально зависит от температуры. Однако его
пороговая энергия существенно зависит от ширины квантовй
ямы и близка к нулю для узких квантовых ям. Показано,
что в достаточно узких квантовых ямах доминируют
беспороговый и квазипороговый процессы, а в достаточно
широких квантовых ямах - квазипороговый и пороговый оже
процессы. Выполнен предельный переход к трехмерному оже
процессу при ширине квантовой ямы стремящейся к
бесконечности. Найдено значение критической толщины
квантовой ямы, при которой квазипороговый и пороговый
оже процессы сливаются в единый трехмерный оже процесс
рекомбинации.

Проведено теоретическое исследование температурной
зависимости плотности порогового тока полупроводникового
инжекционного лазера на квантовых точках. Показано, что
эта зависимость обусловлена рекомбинацией носителей в
области оптического ограничения и нарушением локальной
электронейтральности в точках. Проведен теоретический
анализ пороговых характеристик лазеров на многих
квантовых ямах на основе InGaN и показано, что эти
характеристики имеют зависимости от параметров квантовых
ям качественно отличающиеся от таковых для узкозонных
материалов.

Разработана модель фликкер-шума сопротивления в
нормальной фазе YBaCuO пленок, которая позволила
обьяснить обнаруженную экспоненциально сильную
корреляцию между интенсивностью шума флуктуациями
внутренней микродеформации. Сравнение с экспериментом
позволило определить параметры двухямного потенциала для
атомов кислорода, термоактивационные прыжки которых
являются источником шума.

Теоретически рассмотрен новый эффект: параметрический
резонанс сверхпроводникового полоска микронных размеров,
вызванный осциляциями температуры. Предполагается, что
осциляции температуры сверхпроводника индуцируются
лазерным лучом. Этот эффект может быть использован при
создании высоко-чувствительных микроволновых фильтров и
оптоэлектрических преобразователей ГГц диапазона.

Было рассчитано распределение спектра активационных
энергий элементарных дефектов - атомов кислорода в CuO
плоскости, используя метод Монте Карло, что позволило
установить природу источников фликкер-шума в различных
диапазонах температур.

Путем компьютерного моделирования исследованы шумовые
свойства нелинейной среды с пространственно неоднородным
распределением критических токов и показано, что
пространственное распределение тока самоорганизуется
таким образом, что локальная величина дифференциального
сопротивления имеет тенденцию к возрастанию,
обуславливая аномально высокий уровень шума в широком
интервале пропускаемых токов.

Была разработана оригинальная методика регистрации
фликкер шума магнито-зависимой компоненты СВЧ мощности
резонатора с эпитаксиальной пленкой, которая является
эффективной при проведении исследования источников шума
существенно ниже Тс.

На основе анализа фазовой диаграммы состава YBaCuO и
прилегающих составов предложен механизм катионного
дефектообразования и использован в задаче реконструкции
катионных дефектов, наблюдаемых в изображениях
просвечивающей электронной микроскопии.

Была разработана модель эволиции дефектов, возникающих
при нейтронном облучении пленок YBaCuO, и расчитана их
концентрация. Эта модель позволила обьяснить
анизотропное уменьшении величин критических токов и
оценить концентрацию центров пиннинга для направления
магнитного поля вдоль а-b осей.

В рамках разработаной нами модели свернутой в сферу
квантовой ямы, которая позволяет в простейшем виде
квантово-механически моделировать высокочастотный
электрический отклик молекулы фуллерена и получить
плазменные колебания электронов отдельного кластера,
было показано, что самосогласованное решение для
двумерного электронной жидкости на поверхности $С_{60}$
пригодно для классического описания этих плазменных мод.

В рамках метода диэлектрической проницаемости
теоретически исследована высокочастотная (плазменная)
область спектров характеристических потерь быстрых
электронов и оптических возбуждений в различных
кластерных системах. Был определен спектр
высокочастотных возбуждений и в высокочастотном
приближении вычислены функцию потерь для кристалла
фуллерена.

15.4. Нелинейная задача для термодинамического фазового
перехода в твердых растворах ранее была решена только для
объемных материалов. Рассмотрение эпитаксиальной пленки
выполнено впервые.
Вопрос о корреляции в многослойных системах островков
ранее решался в приближении упруго-изотропной среды, в
котором получается только синфазная корреляция в
вертикальном расположении островков. Учет кубической
упругой анизотропии, позволяющий получать как синфазную,
так и противофазную корреляцию, выполнен впервые.
При рассмотрении кинетики роста эпитаксиальных
пленок твердых растворов ранее учитывался только один
источник упругих напряжений - ступени вицинальной
поверхности. Учет упругих напряжений, создаваемых
флуктуациями состава твердого раствора во всем объеме
эпитаксиальной пленки, выполнен впервые.
Условия возникновения поляронного экситона ранее
исследовались для объемного экситона. Специфика
поляронного экситона в наноструктурах до сих пор не
рассматривалась.
Эффект усиления гиперкомбинационного рассеяния за
счет за счет неоднородных свойств приповерхностной
области кристалла в литературе ранее не обсуждались.
Нам известны только экспериментальные работы по
пассивации кремния дейтерием. Теоретические
исследования этого вопроса до нас не выполнялись.

В задачах, связанных с процессами роста, новизна
полученых результатов заключается в следующем:
рассмотрение механизмов роста квантовых точек с точки
зрения диффузионных процессов, происходящих на
поверхности ранее не проводилось. Физические
закономерности перехода гексагонального нитрида бора в
кубический в режиме осаждения компонент на подложку при
его изготовлении в виде пленки установлены впервые.
Впервые предложена адекватная теоретическая модель
эволюции дефектов в приповерхностных слоях карбида
кремния при высокодозной имплантации ионами азота и
алюминия.

В задачах, связанных с электронными состояниями в
низкоразмерных структурах, новизна полученых результатов
заключается в следующем: Впервые дан детальный
микроскопический анализ механизмов оже рекомбинации в
полупроводниковых квантовых ямах. Микроскопический
расчет скорости оже рекомбинации в квантовых ямах с
напряженными слоями выполнен впервые. Впервые
анализируется анизотропная зависимость спектра
сверхрешеток из квантовых точек от направления
электрического поля, впервые исследовано влияние
экранирования на параметры комплекса экситон+электрон в
двумерной квантовой яме.

В имеющихся теоретических работах по лазерам на
квантовых точках отсутствует анализ температурной
зависимости плотности порогового тока с учетом
рекомбинации носителей в области оптического ограничения
и нарушения электронейтральности в точках. Такой анализ
проведен нами впервые.

В исследованиях по ВТСП, новизна полученых результатов
заключается в следующем: теоретически предсказан новый
эффект: параметрический резонанс в сверхпроводниковом
полоске микронных размеров, вызванный осциляциями
температуры. Впервые теоретически рассматриваются
свойства шумовые нелинейной неоднородной среды в
приложении к ВТСП. Предлагается оригинальная методика
регистрации фликкер шума магнито-зависимой компоненты
СВЧ мощности резонатора с эпитаксиальной ВТСП пленкой.

Впервые предложена эвристическая модель сферически
свернутой квантовой ямы, описывающая высокочастотный
электрический отклик молекулы фуллерена.

15.5.1. 53
15.5.2. 15
15.6.1. 4
15.6.2. 0
15.6.3. 8
15.6.4. 7
15.7.1. Физические процессы в полупроводниковой технологии.
Ипатова И.П., доктор физ.-мат. наук.
число постоянных участников - 8.
ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, корп. А, комн. 419.
10 занятий.
15.7.2 Физические процессы в наноструктурах и приборах на их основе
Сурис Р.Ф., доктор физ.-мат. наук, чл-корр РАН.
число постоянных участников - 15.
ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, нов. корп., комн. 602.
15 занятий.
15.8.1. Международная зимняя школа ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН по
физике полупроводников
Зеленогорск, пансионат "Ленинградец"
28 февраля - 5 марта 1997 г.
Маслов А.Ю., Роткин В.В., Сурис Р.А. - члены Оргкомитета
15.8.2. 1-ая городская студенческая научная конференция по
физике полупроводников и полупроводниковой
наноэлектронике
Санкт - Петербург, Дом Ученых в Лесном
28 ноября 1997 г.
Ипатова И.П. - член Оргкомитета
Cурис Р.А. -член Программного Комитета
15.8.3. International Symposium "Nanostructures: Physics and
Technology"
Санкт - Петербург, Репино
23 - 27 июня 1997 г.
Сурис Р.А. - председатель Программного Комитета
Асрян Л.В. - секретарь Программного Комитета,
член Оргкомитета
15.8.4. 4th International Semiconductor Device Research Symposium
Шарлоттесвилль, США
10 - 13 декабря 1997 г.
Сурис Р.А. - сопредседатель Программного Комитета
15.8.5. III Всероссийская конференция по физике полупроводников
Москва, ФИАН, 1 - 5 декабря 1997 г.
Сурис Р.А. - член Программного Комитета
15.9.1. III Всероссийская конференция по физике полупроводников
Москва, ФИАН, 1 - 5 декабря 1997 г.
Россия
13 участников
9 докладов
2 приглашенных доклада
15.9.2. International Symposium "Nanostructures: Physics and
Technology", Санкт - Петербург, 23 - 27 июня 1997 г.
Международная
8 участников
10 докладов
15.9.3. "Проблемы теории конденсированного состояния вещества",
посвященная 80-летию со дня рождения И.М.Лифшица,
31 мая - 4 июня, Москва, МГУ
Международная
2 участника
1 доклад
15.9.4. 1997 Spring Meeting of Materials Research Society,
31 марта - 4 апреля 1997 г., Сан Франциско, США
Международная
2 участника
2 доклада
15.9.5. 4th International Semiconductor Device Research Symposium
10 - 13 декабря 1997 г., Шарлоттесвилль, США
Международная
2 участника
3 доклада
1 приглашенный доклад
15.9.6. IEEE LEOS 10th Annual Meeting, San Francisco, CA, USA
November 10-13, 1997.
Международная
1 участник
1 доклад
15.9.7. Workshop: "Epitaxial Semiconductor Surfaces and Interfaces"
15 - 18 декабря 1997 г., Марбург, Германия
Международная
1 участник
1 доклад
1 приглашенный доклад
15.9.8. 5th International Meeting on
"Optics of Excitons in Confined Systems"
Геттинген, Германия, 11 - 14 августа 1997 г.
Международная
1 участник
1 доклад
15.9.9. "Optics of Excitons in Condensed Matter"
Санкт-Петербург, 14 - 18 сентября 1997 г.
Международная
3 участника
2 доклада
15.9.10. "Новые идеи в физике стекла"
Москва, РХТУ им. Д.И.Менделеева, 10 октября 1997 г.
Россия
1 участник
1 доклад
1 приглашенный доклад
15.9.11. SPIE-97 - The International Society for Optical Engineering
Международная
5 докладов
15.9.12. Международная зимняя школа ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН по
физике полупроводников
Зеленогорск, пансионат "Ленинградец"
28 февраля - 5 марта 1997 г.
Международная
7 участников
2 доклада
15.9.13. Workshop on Semiconductor Infrared Detectors and Emitters
Оттава, Канада, 23-25 июля 1997 г.
Международная
1 участник
1 приглашенный доклад
15.9.14."Радиационные эффекты в материалах"
Совместный Российско-Французский семинар
Нормандия - Париж, Франция, 4 - 17 октября
Международная
1 участник
1 приглашенный доклад
15.9.15. 5th International conference
"Materials and mechanisms of superconductivity
high temperature superconductors"
Пекин, Китай, 28 февраля - 4 марта 1997г.
Международная
3 участника
1 доклад
1 приглашенный доклад
15.9.16. Петербургские чтения по проблемам прочности.
Санкт-Петербург, 11 - 13 марта 1997г.
СНГ
3 участника
1 доклад
1 приглашенный доклад
15.9.17. 2nd International oral seminar
"Radiation damage physics of metals and alloys".
Снежинск, Россия, 23 февраля - 1 марта 1997г.
Международная
4 участника
4 доклада
2 приглашенных доклада
15.9.18. International workshop on new approachs
to high-tec materials - 97.
Санкт-Петербург, Россия, 9 - 12 июня 1997г.
Международная
4 участника
3 доклада
2 приглашенных доклада
15.9.19. International conference on SiC trinitrids
and related materials.
Международная
Стокгольм, Швеция, 31 августа - 5 сентября.
3 участника
1 доклад
15.9.20. 13th International conference on ion - surface
interactions.
Международная
Звенигород, Россия, 1 -9 сентября.
3 участника
2 доклада
1 приглашенный доклад
15.9.21. 10th International school on vacuum electron
and ion technologies.
Варна, Болгария, 22 - 27 сентября.
Международная
3 участника
1 доклад
15.9.22. Международная конференция
"Радиационные материалы для ТЯР - 8"
1 участник
1 доклад
15.9.23. 14th Int. Conf. on 1/f noise and fluctuations in Physical
Systems, Leuven, Belgium, July 1997.
Международная
2 участника
3 доклада
15.9.24. Trilateral Germ-Russ-Ukr. Seminar on HTSC, N.Novgorod.
Международная
1 участник
3 доклада
15.9.25 International conference on soft X-ray in 21th century,
UTA,USA, 1 of January, 1997.
Международная
1 участник
1 доклад
15.9.26 International workshop on Fullerens & Atomic Clusters-97,
1997.
Международная
1 участник
1 доклад
15.9.27 MRS Spring meeting,
San-Francisco, 1997.
Международная
1 участник
1 доклад
15.9.28 192nd Meeting of Electrochemical Society,
Monreal, Canada, may 1997.
Международная
1 участник
1 доклад
15.9.29 193d Meeting of Electrochemical Society,
Paris, French, sept. 1997.
Международная
1 участник
2 доклада
15.9.30 Russian-Germany workshop on Sinhrotron Radiation Research
in Atomic Molecular & Material Science,
Sanct-Peterburg, July 1997.
Международная
1 участник
1 доклад
15.9.31 48-е традиционные чтения памяти Попова,
СПбГТУ, 1997.
Российская
1 участник
1 доклад
15.10. Зарубежные командировки:
1. Участие в Международной конференции
``1997 Spring Meeting of Materials Research Society''
Сан Франциско, США, 5 дней,
финансировалась из гранта РФФИ No 96-02-17943.
Щукин В.А.
2. Выполнение совместной работы, Ирвайн, США,
21 день, за счет принимающей стороны,
Щукин В.А.
3. Выполнение совместной работы, Германия, Берлин,
2 месяца, за счет принимающей стороны.
Щукин В.А.
4. Участие в Международной конференции "Optics of
Exciton in Confined Systems", Геттинген, Германия,
6 дней, финансировалась из программы
Миннауки РФ "Поверхностные атомные структуры",
грант No 95-2.23.
Маслов А.Ю.
5. Выполнение совместной работы, Германия, Берлин,
7 дней, за счет принимающей стороны.
Ипатова И.П.
6. Выполнение совместной работы, Милан, Италия,
9 дней, за счет принимающей стороны.
Ипатова И.П.
7. Участие в Международной конференции
``International Semiconductor Device Research
Symposium'', Шарлоттсвилль, США, 5 дней,
финансировалась из программы Миннауки РФ
"Поверхностные атомные структуры", грант No 95-2.23.
Щукин В.А.
8. Участие в Международном Совещании
``Epitaxial Semiconductor Surfaces and Interfaces'',
Марбург, Германия, 5 дней, финансировалась за счет
принимающей стороны
Щукин В.А.
9. Участие в Международной конференции
SPIE, Сан-Хосе, США, 7 дней.
Финансировалась частично из средств данного проекта,
частично оргкомитетом конференции.
Зегря Г.Г.
10. Участие в Международной конференции
``International Semiconductor Device Research
Symposium'', Шарлоттсвилль, США, 8 дней.
Финансировалась оргкомитетом конференции.
Сурис Р.А.
11. Участие в заседании редколлегии журнала
``Semiconductors Science Technology'',
Лондон, Великобритания, 4 дня.
Финансировалась издательством IOP publishing
Сурис Р.А.
12. Участие в Международной конференции
``Радиационные эффекты в материалах''.
Совместный Российско-Французский семинар.
Нормандия - Париж, Франция, 12 дней.
Финансировалась из гранта РФФИ по поддержке
участия российских ученых в международных
научных мероприях за рубежом.
Трушин Ю.В.
13. Участие в конференции MRS.
Бостон, США, 14 дней.
Финансировалась из гранта РФФИ по поддержке
участия российских ученых в международных
научных мероприях за рубежом.
Андреев А.Д.
14. Выполнение совместной работы,
Руссендорф, Германия, 21 день.
Финансировалась проектом X222.43
"Структурные эффекты в углеродных слоях".
Трушин Ю.В.
15. Выполнение совместной работы,
Технический университет Ульменау,
Исследовательский центр Руссендорф, Германия,
21 день.
Финансировалась проектом PE624/1-1
"Ионная модификация кристаллических структур
мультистабильных материалов на примере SiC".
Трушин Ю.В.
16. Выполнение совместной работы,
Руссендорф, Германия, 3 месяца.
Финансировалась Техническим Университетом Дрездена
Харламов В.С.
17. Выполнение совместной работы,
Руссендорф, Германия, 6 недель.
Финансировалась из гранта международного комитета
Саксонской земли.
Харламов В.С.
18. Выполнение совместной работы,
Руссендорф, Германия, 4 недели.
Финансировалась из гранта международного комитета
Саксонской земли.
Куликов Д.В.
19. Участие в Международной конференции
14th Int. Conf. on 1/f
noise and fluctuations in Physical Systems
Левен, Бельгия, 1 неделя.
Финансировалась из гранта РФФИ по поддержке
участия российских ученых в международных
научных мероприях за рубежом и оргкомитетом.
Шанцев Д.В.
20. Участие в Международной конференции
International conference on soft X-ray in 21th
century, UTA,USA, January 1997, 1 неделя.
Финансировалась из гранта N 94014,
программы "Фуллерены и атомные кластеры" Мин. Науки.
21. Участие в Международной конференции
MRS Spring meeting,San-Francisco,
Финансировалась из гранта РФФИ по поддержке
участия российских ученых в международных
научных мероприях за рубежом.
Контракты:
1. Новые устройства на основе широкозонных
полупроводников. University of Virginia, США,
14.09.1997 - 01.10.1998, руководитель - профессор
M. Shur, участник - А.Д. Быховский.
2. Теория корреляционных эффектов при рассеянии света
в неоднородных средах. Western Michigan University,
США, декабрь 1994 - июль 1998 гг., грант No
DMR-92-13793, руководитель - профессор A. McGurn,
участник - В.Г. Малышкин

Гранты членов коллектива:
1. РФФИ - Германия, No 96-02-00168G;
Ипатова И.П. - Р
Малышкин В.Г. - И
Щукин В.А. - И
2. Программа Миннауки РФ "Поверхностные атомные
структуры", грант No 95-2.23
Ипатова И.П. - Р
Маслов А.Ю. - И
Малышкин В.Г. - И
Прошина О.В. - И
Удод Л.В. - И
Чикалова-Лузина О.П. - И
Щукин В.А. - И
3. РФФИ No 96-02-17943
Щукин В.А. - Р
Ипатова И.П. - И
Малышкин В.Г. - И
Маслов А.Ю. - И
Стародубцев А.Н. - И
Чикалова-Лузина О.П. - И
4. ИНТАС No 93-3476-ext
Ипатова И.П. - Р
Маслов А.Ю. - И
Удод Л.В. - И
5. РФФИ No 96-02-17952
Сурис Р.А. - Р
Андреев А.Д. - И
Асрян Л.В. - И
Зегря Г.Г. - И
Роткин В.В. - И
Трушин Ю.В. - И
Фомин Н.В. - И
6. Программа Миннауки РФ "Физика твердотельных
наноструктур", грант No.97-1035
Сурис Р.А. - И
Андреев А.Д. - И
Асрян Л.В. - И
Зегря Г.Г. - И
Роткин В.В. - И
7. Программа Миннауки РФ "Физика твердотельных
наноструктур", грант No.97-2014
Сурис Р.А. - И
8. Программа Миннауки РФ "Физика твердотельных
наноструктур", грант No.97-0003
Зегря Г.Г. - Р
9. ИНТАС 94-1172,
Сурис Р.А. - Р
Андреев А.Д. - И
Зегря Г.Г. - И
Роткин В.В. - И
10. Программа "Фуллерены и атомные кластеры", грант N 94014
Сурис Р.А. - Р
Роткин В.В - И
11. МНТП "Сверхпроводимость" 94048,
Сурис Р.А. - Р
Бобыль А.В. - И
Куликов Д.В. - И
Трушин Ю.В. - И
Фомин Н.В. - И
Шанцев Д.В. - И
12. РФФИ 96-02-18563,
Сурис Р.А. - И
13. РФФИ 96-02-17841а
Зегря Г.Г. - И
14. РФФИ 96-02-17926,
Роткин В.В. - И
15. РФФИ 97-02-18090,
Трушин Ю.В. - Р
Куликов Д.В. - И
Харламов В.С. - И
16. РФФИ 97-02-18110,
Трушин Ю.В. - И
Куликов Д.В. - И
15.11.
15.12.
15.13.1. http://wwwphtf.stu.neva.ru/phtf/sol/ssp.htm

Руководители проекта / Сурис Р.А. /

/ Ипатова И.П. /