Программа

2 июля, вторник

Открытие конференции

9.30
Вступительное слово
Е.И.Теруков, К.Д.Цэндин
9.40
С.П. Вихров
Памяти О.А. Голиковой
10.00
Коломийцевская лекция
В.И.Иванов-Омский
ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, г.Санкт-Петербург
Инкапсулирование металлических нанокластеров в аморфный углерод

Пленарные доклады

Председатель: Е.И.Теруков (ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С-Петербург)

10.40
С.П. Вихров, Н.В. Бодягин, С.М. Мурсалов, И.В. Тарасов
Рязанская государственная радиотехническая академия
Невоспроизводимость- фундаментальное свойство аморфной структуры
11.10
Э.Н. Воронков
Московский энергетический институт
Динамические эффекты в стеклообразных полупроводниках

11.40-12.00 Кофе

12.00
К.Д.Цэндин
ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, г.Санкт-Петербург
Сверхпроводимость халькогенидных стеклообразных полупроводников
12.30
Г.Гаджиев, В.Г.Голубев, В.Ю.Давыдов, Д.А.Курдюков, А.В.Медведев, А.Б.Певцов, В.В.Травников
ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, г.Санкт-Петербург
Фотонные кристаллы на основе нанокомпозитов опал-GaP(N): получение, структурные и фотонно- кристаллические свойства
13.00
А.С.Тверьянович, А.В.Курочкин, А.А.Маньшина, С.В.Дегтярев, А.В.Поволоцкий, Я.Г.Григорьев, Ю.С.Тверьянович
Химический факультет СПГУ
Российский центр лазерной физики СПГУ
Эффективность антистоксовой люминесценции в стеклах системы Ga2S3-GeS2:Er
13.30
Л.И.Рудая, Т.А.Юрре
Санкт-Петербургский Технологический университет
Органические материалы для фотовольтаики

14.00-15.00 Обед

Секция A. Аморфный гидрированный кремний и сплавы на его основе

Председатель: С.П. Вихров (Рязанская государственная радиотехническая академия)

15.00
В.П.Афанасьев, А.С.Гудовских, О.Б.Гусев*, А.П.Сазанов, Е.И.Теруков*
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
*Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, РАН, Санкт-Петербург
Особенности фотоэлектрических свойств пленок a-Si:H с нанокристаллическими включениями
15.20
А.Г.Казанский, Х.Мелл*, П.А.Форш
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, Москва, Россия
*Philipps-Universitet Marburg, D-35032, Marburg, Germany
Фотоиндуцированные изменения проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием
15.40
М.Я. Валах, В.Н. Джаган, И.Н.Кравчук, Б.Н. Романюк, В.А. Юхимчук
ИФП НАН Украины
Спектроскопия КРС SiGe - гетероструктур, легированных углеродом
16.00
М. М. Мездрогина, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Ч.С. Саидов
Физико-технический институт РАН
Санкт-Петербургский государственный технический университет
Термезский государственный университет
Примеси редкоземельных металлов в аморфном гидрогенизированном кремнии

16.20-16.40 Кофе

16.40
А.А. Шерченков, Б.Г. Будагян, А.В. Мазуров
Московский государственный институт электронной техники
Механизмы токопереноса в гетероструктурах a-Si:H/c-Si
17.00
Я.Н.Вовк, А.Н.Назаров, В.С.Лысенко, Е.И.Теруков*, О.И.Коньков*
Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
*ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С-Петербург
Влияние дефектов, вводимых в матрицу a-Si:H при легировании эрбием, на процессы электролюминесценции в структрах a-Si:H(Er)/ c-Si
17.20
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, А.Л. Громадин*
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
* ГИРЕДМЕТ
О влиянии светового излучения на изотермический отжиг метастабильных состояний в легированных пленках a-Si:H
18.20
Welcome party

14.00- 18.00

Стендовые доклады
Секция А. Аморфный гидрированный кремний и сплавы на его основе

A1.
С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, В.Г. Мишустин, А.А. Попов, А.Е. Бердников
Характер распределения электрического поля на контакте металл- неупорядоченный полупроводник
A2.
С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, В.Г. Мишустин, А.А. Попов, В.Д. Черномордик*
Измерение распределения электрического поля в запирающем слое на контакте Me/a-Si:H
A3.
С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, В.Г. Мишустин, А.А. Маслов, А.Е. Бердников*, А.А.Попов*
Физическая модель контактного барьера металл - нелегированный a-Si:H
A4.
В.Г.Голубев, А.А.Дукин, А.Б.Певцов, А.В.Селькин, Н.А.Феоктистов
Фазометрические исследования спектров зеркального отражения света от микрорезонаторов Фабри-Перо на основе аморфного кремния
A5.
А.А. Попов, А.Е. Бердников, В.Д. Черномордик, Ю.А. Минаков
Формирование рельефа поверхности пленок a-Si:H при осаждении их в плазме низкочастотного тлеющего разряда
A6.
А.А. Попов, Ю.А. Минаков, А.Е. Бердников, В.Д. Черномордик
Влияние химического состава на рельеф поверхности сплавов аморфного кремния при осаждении в НЧ разряде
A7.
С.П. Вихров, Н.В. Бодягин, С.М. Мурсалов, И.В. Тарасов
"Скрытый порядок" аморфной структуры
A8.
К.К. Диханбаев, А.А. Мигунова, В.Э. Никулин, Т.И. Таурбаев, Б.Г. Топанов
Влияние галлия и быстрого термического отжига на спектры фотолюминесценции пористого кремния
A9.
Б.А.Наджафов, Н.Н.Мурсакулов
Оптические свойства гидрогенизированных аморфных пленок твердого раствора a-Ge0.85Si0.15:H
A10.
Ю.К.Ундалов , Е.И.Теруков, В.Х.Кудоярова, О.Б.Гусев
Изучение влияния кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия в пленках a-SiOx, полученных dc- магнетронным способом
A11.
А.В. Нежданов, А.С. Михайлов, А.И. Машин, А.Ф. Хохлов
Электронная структура и оптические свойства структурно-неоднородного аморфного кремния
A12.
Е.А.Сванбаев, Б.Т.Кемербаева, Т.Б.Данегулова
Влияние отжига на оптические свойства аморфного кремния
A13.
В.В Болотов, В.Е Кан, А.В Носков, А.В Орлов, В.В. Турков
Оптические свойства гидрогенизированных пленок a-Si на стекле, полученных плазмо-химическими методами
A14.
Я.Н.Вовк, А.Н.Назаров, B.И.Турчаников, В.А.Краснов, В.С.Лысенко, Т.М.Назарова
Токопрохождение и захват заряда в гетероструктурах a-SiС/P-Si
A15.
А.А. Шерченков, Б.Г. Будагян, А.В. Мазуров
Влияние содержания германия на механизмы токопереноса в a-SiGe:H/c-Si гетероструктурах
A16.
Б.Г. Будагян, А.А. Шерченков, Г.Л. Горбулин
Усовершенствованная методика моделирования фотопроводимости с учетом прыжкового механизма транспорта носителей заряда
A17.
Р.Г. Валеев, А.Н. Деев, П.Н. Крылов, В.М. Кобзиев, С.Ф. Ломаева, Г.Н. Коныгин
Морфология поверхности и структура тонких пленок германия, полученных методом ионно-кластерного распыления
A18.
А.С. Мазинов, Е.В. Лисовец, О.Л. Наэльток, М.А. Быков
Аморфные пленки кремния полученные магнетронным распылением
A19.
М.С.Аблова, Г.С.Куликов, С.К.Першеев
Метастабильные состояния аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H), создаваемые гамма-облучением
A20.
И.В. Журавлёв, Д.С. Кибалов, Г.Ф. Смирнова, А.В. Проказников, В.К. Смирнов
Закономерности формирования волнообразного микрорельефа на поверхности монокристаллического и аморфного кремния пучком ионов азота
A21.
В.А. Терехов, В.М. Кашкаров, О.В. Остапенко, Е.И. Теруков, В.Х. Кудоярова*
Исследование электронного строения пленок a-Si:H
A22.
I.M.Kotina, A.V.Derbin, A.G.Ilves, G.V.Patsekina, V.D.Saveliev, L.M.Tuhkonen, A.M.Danishevskii, O.I.Konkov, E.I.Terukov
Optoelectric properties amorphous-crystalline heterostructures based on the high resistivity silicon
A23.
S.Persheyev, M.Rose, S.Anthony, I.Zrinscak, C.Main
Low temperature growth of amorphous and microcrystalline silicon films by a high hydrogen dilution Hot Wire CVD method
3 июля, среда

Секция В. Аморфный углерод и другие широкозонные полупроводники

Председатель: В.И.Иванов-Омский (ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С-Петербург)

9.00
С.А. Грудинкин, М.В. Байдакова, А.Я. Вуль, В.Г. Голубев, В.Г. Мелехин, А.В. Нащёкин, Н.А. Феоктистов
ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Рост алмазных плёнок на различных подложках методом термического газофазного осаждения
9.20
Н.А. Поклонский, Е.Н. Подденежный , Н.И. Горбачук, Н.М. Лапчук, Б.В. Плющ*
Белорусский государственный университет
*Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины
ЭПР углеродных кластеров в композитах C/SiO2, полученных по золь-гель технологии
9.40
A.A. Evtukh, V.G. Litovchenko, N.I. Klyui, A.Yu. Kizjak*, V.M. Popov*, V. Pokanevich*
Institute of Semiconductor Physicsi, Kiev, Ukraine
*Research Institute of Microdevices, Kiev, Ukraine
Dark electron conductivity of undoped and nitrogen doped DLC films
10.00
Ю.В.Жиляев, В.В.Криволапчук, М.М.Мездрогина, С.Н.Родин, А.П.Скворцов
ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Формирование оптически- активных центров Eu в кристаллах GaN:Eu
10.20
В.П.Афанасьев, В.В.Голубков*, А.С.Гудовских, О.И. Коньков**, А.П.Сазанов, Е.И.Теруков**
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
*Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова, РАН, Санкт-Петербург
**Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, РАН, Санкт-Петербург
Структура, оптические и фотоэлектрические свойства пленок AlN, полученных реактивным магнетронным распылением
10.40
Т.К. Звонарева, В.И. Иванов-Омский, В.В. Розанов*, Л.В.Шаронова
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
*Институт аналитического приборостроения РАН
Исследование пленок аморфного гидрогенизированного углерода методом сканирующей туннельной спектроскопии
11.00
А.Н.Грузинцев, В.Т.Волков, Л.Н.Матвеева
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН,Черноголовка
Низкотемпературная кристаллизация пленок ZnO, полученных методом электронно-лучевого испарения с регулированием состава ионной компоненты на подложке

11.20-11.40 Кофе

Секция C. Органические полупроводники

Председатель: В.В.Шаманин (Институт высокомолекулярных соединений, С.-Петербург)

11.40
Е.Л.Александрова
Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им.С.И.Вавилова"
Светочувствительные полимерные полупроводники
12.00
Л.И. Субботина, М.Я. Гойхман, К.А Ромашкова, И.В. Гофман, В.В. Кудрявцев
Институт высокомолекулярных соединений РАН, Санкт-Петербург
Полимеры, обладающие нелинейно-оптическими свойствами, на основе глицидиловых эфиров азокрасителей
12.20
И.Н Оруджев, О.Б. Тагиев, С.Н. Мусаева, М.А. Курбанов
Институт физики АН Азербайджана
Фоточувствительные и электролюминесцентные композиты полимер-полупроводник
12.40
С. Кудайкулова, О. Приходько*, М. Абади**, Г. Бойко, Б. Жубанов
Институт химических наук НАН РК, Алма-Ата, Казахстан
*НИИЭТФ КазНУ им. аль-Фараби, Алма-Ата, Казахстан
**Университет Монпелье 2, Франция
Модификация поверхностных свойств диэлектрических пленок металлами
13.00
Н.А. Поклонский, Н.М. Лапчук, Т.М. Лапчук, Н.И. Горбачук
Белорусский государственный университет
Особенности насыщения сигнала ЭПР парамагнитных центров в композитах сажа/полиэтилен
13.20
А.В. Кухто, Э.Э. Колесник, О.А. Галай, В.В. Галькин
Институт молекулярной и атомной физики НАН Беларуси
Электролюминесценция органических неоднородных тонкопленочных структур

13.40-14.30 Обед

Вечернее заседание

Секция D. Микрокристаллические и нанокристаллические полупроводники и сплавы

Председатель: А.Г.Казанский (МГУ им.М.В.Ломоносова, Москва)

14.30
В.Г. Голубев, А.А. Дукин, Д.А. Курдюков, А.В. Медведев, А.Б. Певцов
ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
Влияние примесных локальных колебаний на люминесценциию ионов эрбия в композите опал-эрбий
14.50
Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов, С.А. Трушин, А.А. Ежевский, Д.М. Гапонова*
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского
*Институт физики микроструктур РАН
"Комнатная" люминесценция частично аморфизованного ионным облучением кремния, связанная с наноструктурированием
15.10
М.Е.Компан
ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С-Петербург
Кулоновский механизм самоформирования структуры пористого кремния
15.30
Е.И.Теруков, О.И.Коньков, В.Х.Кудоярова, О.Б.Гусев, В.Ю.Давыдов, Г.Н.Мосина, Р.М.Баязитов*, Р.И.Баталов*
ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С-Петербург
* Казанский физико-технический институт РАН, Казань
Образование преципитатов beta-FeSi2 в микрокристаллическом Si
15.50
А.А. Кончиц, С.П. Колесник, С.К. Гордеев*, А.В. Гречинская*, В.В. Попов**, А.М. Данишевский**
Институт физики полупроводников НАН Украины, г. Киев
*Центральный научно-исследовательский институт материалов, С.-Петербург
**ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С-Петербург
Процессы адсорбции и парамагнитный резонанс в нанопористом углероде

16.10-16.30 Кофе

16.30
А.М. Данишевский, Г.Н. Мосина, С.К. Гордеев*, А.В. Гречинская*
ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С-Петербург
*Центральный научно-исследовательский институт материалов, С.-Петербург
Образование алмазных кластеров в процессе приготовления нанопористого углерода из карбида кремния
16.50
Е.Ф. Венгер, Р.Ю. Голиней, Т.Я. Горбач, Л.А. Матвеева
Институт физики полупроводников НАН Украины
Взаимосвязь фотолюминесценции с электронной энергетической структурой нанокристаллического пористого кремния
17.10
А.Д.Мокрушин, И.И.Бардышев*, Т.П.Пуряева*, В.В.Старков
Институт проблем технологии микроэлектроники РАН
*Институт физической химии РАН
Структура нанопор в макропористом кремнии
17.30
М.Д.Ефремов, В.А.Володин, В.В.Болотов*, А.В.Вишняков, А.В.Кретинин, Л.И.Федина, А.А.Гутаковский, С.А.Кочубей
Институт физики полупроводников СО РАН, г.Новосибирск
*Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН, г.Омск
Оптические и электрофизические свойства нанокристаллов кремния, формирующихся в напряженных пленках a-Si:H при наносекундных воздействиях излучения эксимерного лазера
17.50
К.В. Коугия*, Е.И. Теруков
ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
*Department of Electrical Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon S7N5A9, Canada
Природа возникновения аномально малого показателя люксамперной характеристики в микрокристаллическом кремнии

13.40-18.30

Стендовые доклады
Секция B. Аморфный углерод и другие широкозонные полупроводники

B1.
Э.А. Сморгонская
Об интерпретации данных малоуглового рентгеновского рассеяния нанокомпозитами на основе объемного нанопористого углерода
B2.
С.А. Грудинкин, Ю.Ф. Бирюлин, А.Я. Вуль, В.Г. Голубев, Н.А. Феоктистов
Фотолюминесценция CVD алмазных плёнок, полученных на различных подложках с использованием наноалмазных прекурсоров
B3.
Д.П. Бернацкий, А.В. Чернышев, В.И. Иванов-Омский
Исследование аморфного гидрогенизированного углерода методом полевой десорбционной микроскопии
B4.
Б.Г. Будагян, А.А. Шерченков, В.В. Жаров, Е.И. Артёмов
Термодинамический анализ реакций в плазме НЧ ТР при осаждении a-Si1-xCx:H
B5.
В.А. Воронцов, А.Е. Андреев
Моделирование атомной структуры аморфного гидрогенизированного углерода по данным микродифракции электронов
B6.
Н.И.Клюй, А.Б.Корнета*, В.Г.Литовченко, Ю.П.Пирятинский, Л.В.Неселевская
Фотолюминесцентные свойства азотосодержащих углеродных пленок, модифицированных УФ облучением
B7.
А.П.Семенов, А.Ф.Белянин*, И.А.Семенова, Ю.А.Барнаков
Выращивание тонких пленок углерода алмазоподобной структуры пучками заряженных частиц
B8.
А.А. Оноприенко, В.В. Артамонов, И.Б. Янчук
Электросопротивление нелегированных и легированных бором углеродных пленок, полученных магнетронным распылением
B9.
Г.М. Шахшаев, М.Ш. Абдулвагабов, А.Г. Гамзатов, Р.А. Мохаммед
Особенности теплопроводности алмазоподобных пленок a-C:H
B10.
Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков
Возможность синергетического подхода к эволюции свойств аморфных пленок SiO2 в структурах КНИ
B11.
С.Б. Бурзин, А.С. Дудников, Н.А. Зайцев, В.Д. Михалин
Оценка качества термически выращенных пленок диоксида кремния по методике зависимого от времени пробоя
B12.
А.С.Ананьев, О.И.Коньков, В.М.Лебедев, А.Н.Новохацкий, Е.И.Теруков, И.Н.Трапезникова, Л.В.Шаронова
Аморфные гидрогенизированные пленки карбида бора, полученные плазменным методом
B13.
Ю.В. Жиляев, В.В Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин
Корреляция видов спектров донорно-акцепторной фотолюминесценции и морфологии поверхности в кристаллах GaN:Er
B14.
В.Вал.Соболев, О.Р.Желтышева, В.В.Соболев
Оптические спектры селенида и теллурида бериллия
B15.
А.И. Калугин, В.И. Кормилец, В.В. Соболев
Электронная структура фторида кадмия
B16
М.И. Самойлович, А.Л. Талис
Алмазоподобный квазикристалл с бесконечной точечной группой и алгебраические особенности волновых фронтов

Стендовые доклады
 Секция C. Органические полупроводники

C1.
Е.А. Александрова, Н.А. Соловская, Г.И. Носова, К.А. Ромашкова, В.А. Лукьяшина, В.В. Кудрявцев
Новые фотопроводящие полимеры на основе дихиназолонов различной структуры
C2.
Е.Л. Александрова*, Л.П. Казакова
Дрейфовая подвижность носителей заряда в фуллеренсодержащих пленках светочувствительных полиимидов
C3.
Г.И. Носова, Е.Л. Александрова, Н.А. Соловская, К.А. Ромашкова, Е.Ф. Галактионова, В.В. Кудрявцев
Фотопроводимость полимерных слоев на основе диангидрида 1,3-бис(3,4'-дикарбоксифенокси)бензола и диаминов, содержащих замещенные дифенилметановые фрагменты
C4.
Е.Л.Александрова, Л.П.Казакова*, М.М.Дудкина**, А.В.Теньковцев**
Фотоэлектрические свойства полиамидинов
C5.
М.Я. Гойхман, Е.Л. Александрова, И.В. Подешво, В.В. Кудрявцев
Фотофизические свойства комплексов бихинолилсодержащих полимеров с Ru(II)
С6.
Н.В.Блинова, Е.Л.Краснопеева, Ю.А.Николаев, А.Ю.Осадчев, Ю.В.Рудь, В.Ю.Рудь, Е.И.Теруков, В.В.Шаманин
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов кремний- полигомосопряженные элементоорганические соединения

Стендовые доклады
 Секция D. Микрокристаллические и нанокристаллические полупроводники и сплавы

D1.
А.Г.Казанский, Х.Мелл*, П.А.Форш
Влияние термического отжига на оптические и фотоэлектрические свойства пленок микрокристаллического гидрированного кремния
D2.
Vlad Smirnov, Steve Reynolds, Charlie Main, *Reinhard Carius, *Friedhelm Finger
Transient photocurrents in microcrystalline silicon films
D3.
А. А. Мигунова, И.Д. Горлачев
Элементный состав химически полученного пористого кремния по данным резерфордовского обратного рассеяния
D4.
Б.М. Костишко, Ш.Р. Атажанов, С.В. Апполонов
Модификация поверхности пористого кремния в процессе высокотемпературной карбонизации
D5.
Б.М. Костишко, С.В. Апполонов, Д.В. Корнилов
Изменение состава пористого кремния в вакууме
D6.
Н.С.Аверкиев, Л.П.Казакова, Ю.П.Пирятинский, Н.Н.Смирнова
Переходный фототок и фотолюминесценция в пористом кремнии
D7.
M.E. Boiko, I.V. Eremin
Nano - crystal semiconductors characterization with Small-Angle Scattering of X-rays.
D8.
А.А. Ежевский, А.Ф. Хохлов, Г.А. Максимов, М.Ю. Лебедев
Исследование нанокристаллического кремния, полученного бомбардировкой ионами инертных газов больших доз
D9.
С.П. Зимин, Ю.В. Рябкин, А.Н. Брагин, В.В. Наумов
Температурная зависимость дрейфовой подвижности носителей заряда для кремниевых нанокристаллитов, связанных оболочкой аморфного кремния
D10.
А.А. Попов, М.Д. Ефремов, В.А. Володин, Ю.А. Минаков
Формирование нанокристаллов в аморфном кремнии, осажденном в низкочастотном разряде
D11.
В.В.Попов, А.М.Данишевский, В.Б.Шуман, С.К.Гордеев, А.В.Гречинская
Изменение электрических свойств нанопористого углерода при заполнении пор серой
D12.
Р.Н.Кютт, А.М.Данишевский, Э.А.Сморгонская, С.К.Гордеев, А.В.Гречинская
Рентгенодифракционное исследование структуры нанопористого углерода, полученного из карбидных материалов
D13.
Э. Б. Вторыгин, С. В. Кощеев, О. Ф. Луцкая, А. И. Максимов
Получение нанокомпозиционных материалов в системе In2O3-SnO2-SiO2 и анализ их свойств
D14.
Л.Н.Гарькин, М.В.Калинина, В.А.Мошников, П.А.Тихонов, В.В.Томаев
Изучение наноструктурированных поликристаллических пленок на основе SnO2
D15.
В.П.Афанасьев, Е.Ю.Каптелов, А.В.Панкрашкин, И.П.Пронин
Получение и исследование пленок ЦТС с нановключениями оксида свинца
D16.
Г.Б. Ибрагимов
Подвижность и рассеяние электронов на сплавном беспорядке в квантовой проволоке
D17.
Г.Б. Ибрагимов
Поглощение света свободными носителями в квазиодномерных системах при рассеянии электронов на сплавном беспорядке.
D18.
Э.П. Синявский, Р.А. Хамидуллин
Ток в одиночных параболических квантовых ямах в магнитном поле при неупругих процессах рассеяния
D19.
A.M.Satanin, V.B.Shtenberg
Resistance of size-quantized disordered films
D20.
Ф.М.Гашимзаде, А.М.Бабаев
Двумерный Кейновский осциллятор в магнитном поле
D21.
A.M.Babaev
Energy spectrum of carriers in quantum dots with parabolic well
D22.
В.А. Бурдов, Н.А. Маслобоева
Многоканальное туннелирование через гетерослой с квантовой точкой в сильном магнитном поле
D23.
В.А. Бурдов, Д.С.Соленов
Электронная динамика в системе туннельно связанных квантовых точек в переменном электрическом поле
D24.
Б.М.Аскеров, Х.А.Гасанов, Д.И.Гусейнов
К теории продольного магнетосопротивления полупроводниковой пленки с параболическим потенциалом
D25.
Кузнецов В.С.
К вопросу о генерационно-рекомбинационной неустойчивости в области пространственного заряда при анодном травлении кремния в растворе плавиковой кислоты
D26.
В.Л. Гиляров
Описание поверхностных наноструктур в модели Френкеля-Конторовой
D27.
Т. Диттрих, В. Кытин, Э.А. Лебедев
Особенности переходного тока, ограниченного пространственным зарядом, в пористом анатазе (TiO2)
D28.
В.В. Соболев, А.П. Тимонов, В.Вал. Соболев
Квантовые размерные эффекты пористого кремния
D29.
В.В.Соболев, В.Вал.Соболев, П.Шамшурин
Оптические свойства и электронная структура некоторых силицидов железа, рутения и осмия
D30.
В.Вал.Соболев, О.А.Макаров, В.В.Соболев
Фундаментальные оптические спектры кристаллов группы A23B36
4 июля, четверг

Секция E. Халькогенидные и стеклообразные полупроводники

Председатель: К.Д.Цэндин (ФТИ им.А.Ф. Иоффе РАН)

9.00
М.С. Иову, С.Д. Шутов, А.М. Андриеш, Е.И. Камитсос*, С.П.Е. Варсамис*, А.Б. Седдон**, Д. Фурнисс**, М. Попеску***
Центр Оптоэлектроники Института прикладной физики АН Молдовы Кишинев, Республика Молдова
*Институт теоретической и физической химии, HNRF, Афины, Греция
**Группа новых стекол фотоники, Университет Ноттингема, Великобритания
***Национальный институт физики материалов, Бухарест-Мэгуреле, Румыния
Структура и свойства стеклообразных As2S3 и As2Se3, легированных Dy, Sm и Mn
9.20
Н.П.Серегин
Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург
Влияние перехода порядок-беспорядок в электронной подсистеме кристалла на электронную плотность в узлах решетки
9.40
Д.И.Исмаилов, Э.Ш.Алекперов, Э.М.Керимова, Ф.И.Алиев
Институт физики имени Г.М.Абдуллаева НАН Азербайджана, г.Баку
Электронографические исследования многоструктурности пленок полиморфного TlInS2
10.00
М.А.Джафаров, Г.М.Мамедов, Э.Ф.Насиров
Бакинский Государственный Университет Баку, Азербайджан
Физические свойства пленок Cd1-хZnхS, Cd1-хZnхSе и CdS1-хSeх , осажденных из водного раствора
10.20
Ш.Ш.Сарсембинов,О.Ю.Приходько, А.П.Рягузов, С.Я.Максимова
НИИЭТФ КазНУ им. аль-Фараби, Алматы
Атомная структура и электронные свойства аморфных пленок ХСП системы As-Se
10.40
В.В.Соболев, В.Вал.Соболев
УдГУ, Ижевск,Россия
Влияние приповерхностного нарушенного слоя аморфных халькогенидов мышьяка на спектры фундаментальных оптических функций

11.00-11.20 Кофе

11.20
С.А.Козюхин, Н.П.Кузьмина**, Э.Н.Воронков, А.Р.Файрушин, О.В.Котова**
Московский энергетический институт
*ИОНХ РАН, Москва
**МГУ. Москва1
Электрофизические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников, модифицированых комплексами РЗЭ
11.40
А.А. Бабаев, И.К. Камилов, П.П. Хохлачев, Е.И. Теруков*, С.Б. Султанов, Д.Х. Амирханова, З.В. Мамаева, А.М. Хасбулатов
Институт физики Дагестанского Научного центра РАН, Махачкала
*ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
Особенности электропроводности стекол As2S3, As2S5 с малыми добавками золота
12.00
Е.Н.Борисов, В.Б.Смирнов, А.С.Тверьянович, О.А.Соколова, Ю.С.Тверьянович
Химический факультет СПГУ
Российский центр лазерной физики СПГУ
Активированные Er халькогенидные стеклообразные пленки, полученные УФ лазерной абляцией
12.20
Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, З.Я. Мамедова
Институт физики национальной академии наук Азербайджана, г. Баку
Фотолюминесценция монокристаллов YbGa2S4:Nd и YbGa2S4:Tm

12.40-13.40 Обед

Секция F. Технические приложения

Председатель: Э.Н.Воронков (МЭИ, г.Москва)

13.40
J.P.Kleider
L.G.E.P.-SUPERLEC (CNRS, UMR 8507), France
Capacitance techniques for the evaluation of electronic properties and defects in disordered thin films semiconductors
14.10
В.И.Березкин, И.В.Викторовский, А.Я.Вуль*, Л.В.Голубев*, В.Н.Петрова, Л.О.Хорошко
Научно-исследовательский центр экологической безопасности РАН, Санкт-Петербург
*ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
Фуллереновые микрокристаллиты как адсорбенты органических соединений
14.30
М.Ш. Абдулвагабов, Г.К. Сафаралиев, М.Б. Иманов
Дагестанский госуниверситет, г.Махачкала, Россия
Электролюминесцентные структуры сине-голубого свечения на основе алмазоподобных пленок a-C:H
14.50
Е.И.Теруков, Х.Мелл*
ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
*Philipps-Universitet Marburg, D-35032, Marburg, Germany
Электролюминесценция Er в p-i-n структурах на основе a-Si:H
15.10
А.И. Андреев *, А.В. Буханов*, С.М. Кокин, В.А. Никитенко
*Академия гражданской защиты МЧС РФ Московский государственный университет путей сообщения (МИИТ)
Особенности светоизлучающих устройств с монослоями микрокристаллов электролюминофора

15.30-15.50 Кофе

15.50
С.К.Лазарук, А.Г.Смирнов, А.И.Белоус*, С.В.Шведов*,А.А.Пархомчук*
Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
*РУП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл", Минск, Беларусь
Электролюминесцентные микроминиатюрные дисплеи на основе пористого кремния
16.10
Е.М.Гамарц , В.А.Мошников*, Ю.М.Таиров*, В.В.Томаев*
ОАО "РНИИ "Электронстандарт", С.-Петербург, Россия
*Санкт-Петербургский электротехнический университет, С.-Петербург, Россия
Создание чувствительных структур для ИК-абсорбционных газоанализаторов
16.30
В.А. Климов, А.В. Ильинский, Е.Б. Шадрин, И.О. Тимофеева*, С.Д. Ханин*
ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
*Российский Государственный Педагогический Университет им. А.И. Герцена
Исследование возможностей применения аморфных слоев диоксида ванадия в устройствах ограничения мощного лазерного излучения
16.50
А.Ф.Паль, П.И.Перетятько, А.В.Родин, В.М.Шашков
ГНЦ РФ ТРИНИТИ, Троицк, Московская область, Россия
Нанокомпозитные полевые эмиттеры на основе алмазоподобных пленок
17.10
Е.И.Теруков, К.Д.Цэндин
Заключительное слово

13.00-18.00

Стендовые доклады
Секция E. Халькогенидные и стеклообразные полупроводники

E1.
Ш.О.Эминов, А.А.Раджабли, А.А.Алиев, Д.И.Гусейнов
Сравнительный анализ характеристик фотодиодов на основе CdHgSe, полученных диффузией различных элементов
E2.
А.Р. Файрушин, Э.Н. Воронков
Моделирование стримерного пробоя в тонких пленках стеклообразных полупроводников
E3.
М.А. Абдуллаев, И.К. Камилов, Е.И. Теруков*, М.А. Какагасанов, Дж.Х. Магомедова, П.П. Хохлачев
Влияние температуры подложки на оптоэлектронные свойства аморфных пленок CuInSe2, полученных методом дискретного испарения
E4.
А.Б. Седдон, Д. Фурнисс, Г. Адриаенссенс, А.М. Андриеш, М.С. Йову, Н.Н. Сырбу, С.Д. Шутов
Оптическое поглощение и люминесценция стекол Pr: Ga-La-S с добавками кислорода
E5.
А.С.Глебов
Исследование процессов структурной эволюции и токовой неустойчивости в стеклообразных матeриалах на основе принципов синергетики
E6.
C.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, Э.М. Керимова
Транспортные свойства аморфного теллурида диталлия
E7.
С.П. Зимин, Д.С. Зимин, О.Ю. Приходько, А. Рягузов, Е.А. Богоявленская
Особенности структуры и электрических свойств пленок As2Se3, выращенных на пористом кремнии
E8.
С.А. Кривелевич
О метастабильности и лабильности неупорядоченных полупроводников в рамках теории Гинзбурга-Ландау
E9.
Д.В. Денисов, К.Д. Цэндин
Полупроводниковая проводимость в недодопированных образцах системы YBaСuO
E10.
Т.Г.Мамедов, Ф.А.Микаилов, М.А.Низаметдинова, Мир-Гасан Ю.Сеидов
Диэлектрическая релаксация метастабильных состояний в сегнетоэлектрике TlInS2 с несоразмерной фазой
E11.
С.А.Козюхин, Т.А.Куприянова, О.И.Лямина, С.А.Дембовский
Исследование структурных изменений в халькогенидных стеклообразных полупроводниках рентгенофлуоресцентным методом
E12.
Т.Ю.Иванова, А.А.Маньшина, А.В.Курочкин, Ю.С.Тверьянович, А.С. Тверьянович, В.Б.Смирнов
Перенос энергии РЗИ --> матрица в стеклах системы Ga-Ge-S-Se:Er3+
E13.
Ю.С. Тверьянович, М. Волчек, А.С. Тверьянович
Цепочечная структура халькогалогенидных стекол
E14.
Д.А. Воробьёв, Е. Ю. Туркина, С. В. Дегтярёв, Ю. С. Тверьянович
Стеклообразование в системе Ga2S3-GeS2-Ti2S
E15.
М.И.Алиев, А.А.Халилова, Д.Г.Араслы, Р.Н.Рагимов
Рассеяние электронов и фононов в твердых растворах GaSb-Ga2Te3
E16.
А.А. Бабаев, И.К. Камилов, Е.И. Теруков, С.Б. Султанов, З.В. Мамаева, А.М. Асхабов
Фотолюминесцентные свойства стеклообразного сульфида мышьяка, полученного при различных режимах синтеза
E17.
А.А. Бабаев, С.Н. Каллаев, И.К. Камилов, Е.И. Теруков, А.А. Амирова, С.Б. Султанов, З.В. Мамаева
Особенности диэлектрической проницаемости и фотолюминсценции в стеклообразном SbSi
E18.
Н.В. Голубченко, М.А. Иошт, А.Н. Риппинен, Д.Б Чеснокова, В.А. Мошников
Влияние условий окисления на фазовый состав и свойства поликристаллических слоев на основе PbSe
E19.
С.И.Мехтиева, А.И.Исаев, Е.А.Мамедов
Дрейфовая подвижность носителей заряда и коэффициент оптического поглощения в халькогенидных стеклообразных полупроводниковых системах Se-Te
E20.
Т.М.Гаджиев, А.А.Бабаев,И.К.Камилов, Ш.Анурмагомедов, П.П.Хохлачев, Р.М.Гаджиева
Катодо- и фотолюминесценция в поликристаллическом CbInSe2
E21.
Б.Т. Мелех, В.И. Бахарев
О стеклообразующей способности сплавов в системе Si-Cu-Te
E22.
Л.А. Кулакова, Б. Т. Мелех, В. И. Бахарев
Cинтез и физические свойства стёкол в системах Si(Ge)-Se-Te
E23.
А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, П.П. Хохлачёв, Р.Г.Джамамедов, С.Ф. Маренкин
Эффект Холла и удельное электросопротивление в твердых растворах Cd0.97Zn0.03As2 при высоком гидростатическом давлении до 9 ГПа
E24.
Г.Б. Стефанович, А.Л. Пергамент, Е.Л. Казакова
Электронные и ионные процессы в гидратированном пентаоксиде ванадия. Внутренний электрохромный эффект
E25.
Г.Б. Стефанович, Д.Г. Стефанович, А.А. Величко, А.Л. Пергамент
Электронно-лучевая модификация аморфного оксида ванадия
E26.
А.С. Зюбин, Ф.В Григорьев, С.А. Дембовский
Квантовохимическое моделирование встраивания атомов Te в непрерывную неупорядоченную сетку а-Se
E27.
В.Вал.Соболев, В.В.Соболев
Спектры фундаментальных оптических функций монокристаллов селенида и сульфида мышьяка
E28.
В.Вал.Соболев, Е.В.Вологжанин, В.В.Соболев
Оптические свойства и электронная структура халькогенидов циркония и гафния
E29.
В.Вал.Соболев, Д.Вакуленко, В.В.Соболев
Оптические свойства и электронная структура халькогенидов висмута
E30.
В.Вал.Соболев, Е.В.Пестерев, В.В.Соболев
Фундаментальные оптические спектры группы MI3
E31.
В.Вал.Соболев
Электронная структура и оптические свойства оксида цинка
E32.
В.Вал.Соболев
Тонкая структура экситонов и зон халькогенидов мышьяка
E33
Mara Reinfelde, Janis Teteris, Ilona Kuzmina
Institute of Solid State Physics, University of Latvia, Riga, Latvia
Amorphous As-Se-S films for holographic recording
E34
Р.В. Парфеньев, И.И. Фарбштейн, И.Л. Шульпина, С.В. Якимов, В.П. Шалимов*, А.М. Турчанинов**
ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
*ИМЕТ РАН, Москва
**НПО "Композит", Королёв, Московская область, Россия
Электрические свойства микрокристаллического теллура, полученного в условиях невесомости
E.35
K. V. Koughia, B. Fogal, R. E. Johanson, G. Belev, S. O. Kasap
The influence of deposition and post-treatment conditions on the electronic properties of amorphous selenium

Стендовые доклады
 Cекция F. Технические приложения

F1.
Ш.С.Асланов, И.Р.Нуриев, А.М.Назаров
Двухкаскадные солнечные элементы на основе a-Si:H
F2.
Ilona Kuzmina, Janis Teteris, Mara Reinfelde
Relief holographic recording in amorphous As-S-Se
F3.
О.В. Александров, Н.Н. Афонин
Влияние генерации собственных точечных дефектов на сегрегацию бора в системе a-SiO2-c-Si
F4.
О.А.Шилова, Ю.З.Бубнов, В.А. Жабрев
Использование стекловидных пленок, получаемых золь-гель технологией, для легирования микрокристаллических материалов в цикле изготовления полупроводниковых газовых сенсоров
F5.
А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев
Структуры КНИ в микроэлектронике
F6.
Мигунова А. А.
Физика солнечных элементов с пористым кремнием
F7.
М.Е Компан, В.П Кузнецов, А.В. Якубович
Твердотельные миниатюрные двигающие устройства (актюаторы) с эффектом памяти на базе композиции наноуглерод / суперионик
F8.
Е.В.Калинина, С.Ю.Керпелева, Г.А.Онушкин, Е.И.Теруков, М.Г.Томилин
Визуализация поверхностных дефектов в полупроводниковых материалах методом нематических жидких кристаллов
F9.
Г.У Островидова, Ю.В. Бодров
Пленочные наноструктуры на основе альбумина - перспективный материал биомолекулярной электроники
F10.
В.Памукчиева,Е.Скордева, Д.Арсова, В.Маслюк
Электронно-стимулированные изменения оптических свойств aмoрфных пленок Ge-As(Sb)-S
F11.
Б.С.Муравский, О.Н.Куликов, Н.А.Яковенко
Фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным р+-n переходом и использование их в микросистемной технике
F12.
В.Е. Харциев
Наномеханика низкоразмерных структур: нелинейные нелокальные отклики на механическое напряжение
F13
А.И. Гаврилюк
ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
Фотоинжекция водорода в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктура
F.14
В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских., В.В. Лучинин, А.П. Сазанов
Объемные фоторезисторные структуры на основе пленок нитрида алюминия

Закрытие конференции